2MBI800XNE-120（壳温100度标称）代替FF900R12ME7_B11（壳温90度标称）的优势

 更低的变频器损耗（芯片技术） 第 7 代 X 系列 IGBT 通过极薄的晶圆制造技术和细小的沟槽门极结构，使得它在损耗方面的表现比我们 第 6 代 V 系列 IGBT 有了突飞猛进的进步。 

 连续运行温度 Tvjop=175℃,竞品实现不了连续运行温度175℃。实现了更高电流输出（封装技术） 通过使用新开发的封装技术（高散热绝缘基板/高耐热硅凝胶/高强度焊锡）和模块构造的优化（绑定线 直径/长度），提高了 X 系列在高温工作时的稳定性和耐久性，从而将最大连续可操作结温 Tvjop 从原来的 150℃提高到 175℃。这实现了在保持模块原有尺寸的条件下增加了输出能力。 

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